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CV de Sans emploi / Ingénierie, cherche un emploi de Recherche et Développement dans le domaine des nanotechnologie / cv.enligne-ch.com

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Emploi dans le domaine des nanotechnologies et nanosciences

Code CV : 59137818b59a07af
Date de dernière connexion : 2017-05-14

Monsieur Ka... S...
....
59000 Lille
France




Situation actuelle:
Secteur d'activité actuel : Sans emploi
Taille de l'entreprise : 101 à 1000 salariés
Fonction actuelle : Sans emploi
Nombre d'années à ce poste : 6 à 10 ans
Nombre de personnes sous mes ordres : 1 à 5 personnes
Salaire annuel : 30.00 EUR
Expérience Totale : 6 à 10 ans
Disponibilité : Disponibilité immédiate

Poste recherché:
Fonctions: Ingénierie, Recherche et Développement dans le domaine des nanotechnologie,
Secteur d'activité: Nanotechnologie, Nanoélectronique, Physique

Type de contrat souhaité: CDI, CDD, CDD Intermittent, Interim
Temps de travail souhaité: Temps plein, En alternance, Travail le WE
Salaire Annuel Minimum / Souhaité: 0.00 / 0.00 EUR

Etudes :
Dernier niveau d'etudes validé avec diplome : Bac+10
Dernier diplome : Doctorat
Niveau d'études actuel : Bac+11
Autres Formations :


Mobilité :
Pays : Algérie, Arabie saoudite, Bahreïn, Belgique, Canada, Émirats Arabes Unis, France, Koweït, Liban, Luxembourg, Malaisie, Monaco, Oman, Qatar, Suisse

Outils / Logiciels / Méthodes maitrisés
Informatique:  Programmation: Matlab, Mathematica, Origin, Labview  Traitement images: Casino v2, SynerJY, NT-MDT Nova, WSxM, IAProject et ImageJ Spécialisation: Physique, Electronique, Sciences des matériaux, Electronique moléculaire, Propriétés électroniques de nanostructures, Fabrication et caractérisation de nanostructures, Développement d’instrumentation, Modélisation et Simulation numérique.

Permis VL, PL, véhicules spéciaux
B

Langues
Français : Courant
Arabe : Langue maternelle
Anglais : Intermédiaire


CV :

Monsieur Ka... S
59000 Lille
France


Physique, Electronique, Electronique Moléculaire, Sciences des Matériaux,
Microscopie à Sonde Locale

ü Sens de l’organisation et aisance pour le travail sur des taches complexes.
ü Autonomie, esprit d’analyse et capacité pour le travail en équipe.
ü Forte expérience dans le domaine des nanosciences.

Qualificationaux fonctions de maître de conférences (France) :
28 - Milieux denses et matériaux, N° de qualification : 13228179382
63 - Génie électrique, électronique, photonique et systèmes, N° de qualification : 13263179382
30 - Milieux dilués et optique. N° de qualification : 13230179382
Formation :
2002-Fév 2007 Doctorat d’ université en Physique – Très Honorable
Université de Reims Champagne-Ardenne/ Laboratoire de Microscopie et Etudes des Nanostructures (LMEN / LRN) EA 3799,
Financement : Allocation de recherche
Sujet :EBIC en champ proche et microscope à force atomique à pointe conductrice: application à l’étude du transport électrique des boites quantiques”.
Oct 2001-Juill 2002 DEA : Optique, Optélectronique et Microonde – Assez Bien
Institut National Polytechnique de Grenoble (Grenoble INP)
Sujet : “Caractérisation électrique et extraction des paramètres physiques de TFTs en Silicium polycristallin”.
Oct 1996-Nov 1999 Magister : Composants Electroniques – Très Honorable
Institut d’Electronique, Université de Constantine (Algérie),
Sujet : “Etude des propriétés électriques thermiques et piézorésistives des jauges en Silicium monocristallin et polycristallin en vue d’application aux capteurs de pression”.
Sep 1991-Juill 1996 Ingénieur d’Etat en Electronique – Bien
Institut d’Electronique, Université de Constantine (Algérie),
Sujet : “Modélisation d’un capteur à pression à jauges en Silicium Monocristallin”
Expérience Professionnelle :
2007- 2013 Post-Doc Et Chercheur contractuel À l’Institut d’Electronique de Microelctronique et de Nanotechnologie IEMN (UMR CNRS 8520, Villeneuve d’Ascq France), Equipe : Nanostructures et Composants Molécular (NCM)
Projets :
Sep 2012-Aout 2013 Auto-assemblage de nano-diélectriques sur du germanium ou des matériaux III-V.
Fév 2011-Aout 2012 Capteurs autonomes miniatures communicants pour la détection de gaz de combats.
Sep 2009-Aout 2010 Jonctions moléculaires ultimes pour des applications en nanoélectronique.
Sep 2007-Aout 2009 Interrupteur optique réversible constitué d’une monocouche autoassemblée de molécules azobenzènes.
Nov 2002-Fév 2007 Doctorat d’ université en Physique, (LMEN / LRN) EA 3799
EBIC en champ proche et microscope à force atomique à pointe conductrice: application à l’étude du transport électrique des boites quantiques.
Fév 2002-Juil 2002 Stage de DEA à l’ Institut de Microélectronique Electromagnétisme et Photonique IMEP (UMR CNRS 5130) – Grenoble INP –
Caractérisation électrique et extraction des paramètres physiques de TFTs en Silicium polycristallin.
Thèmes de recherche:
Spécialisation: Physique, Electronique, Sciences des matériaux, Electronique moléculaire, Propriétés électroniques de nanostructures, Fabrication et caractérisation de nanostructures, Développement d’instrumentation, Modélisation et Simulation numérique.
Ø Propriétés quantiques et étude de transport électronique dans les nanostructures et composants semiconducteurs :
o Boîtes quantiques, anneaux quantiques, nanofils et transistors : Si/Ge, InA/GaAs, InAs/InP, transistor à base des Fils de Si, GaN/Si ...,
o Nanostructures non-semiconducteurs : Couches de Graphène, nanoplots d’Au, Fils d’Argent,
o Cellules photovoltaïques (Polysilicium, Organiques…)
Ø Méthodologie, caractérisation et l’étude des dispositifs moléculaires.
Ø Développement de l’instrumentation pour la caractérisation nanométrique (air ambiant, vide secondaire, ultra-vide).
Compétences et Techniques:
Ø Travail en salle blanche :
o Microscopie électronique à balayage,
o Fabrication et caractérisation des mono-couches moléculaires auto-assemblés (XPS, ellipsométrie, angle de contact par l’eau, … ).
Ø Microscopie à sonde locale :
o STM et AFM (mode contact, oscillant et non contact, à l’ air, vide secondaire, ultra-vide),
o n-EBIC (Courant induit en champ proche), SNOM (cathodoluminescence en champ proche),
o C-AFM, SCM, MFM, EFM, KFM et imagerie par KFM du composant sous tension(à l’aide d’un analyseur Semiconducteurs HP 4155)
Ø Caractérisation électrique Macroscopique :
o Caractérisation électriques (Mesures de courant, capacitives, transistor en régime statique…) sous atmosphère contrôlés et sous l’effet de l’irradiation optique,
o Caractérisation électriques par Goutte mercure et l’Eutectique GaIn (IV, CV…).
Publications:
18 articles dans des revues avec comité de lecture :
Semiconductor Science and Technology (1), Ultramicroscopy (1), Nanotechnology (2), IEEE transactions on electron devices (1), Applied Physics Letters (3), Chemical Communications, Small, ACS Nano (2), Advanced Materials (1), Organic Electronics(1), Nanoscale (1), The Journal of Physical Chemistry C (2), Nano Letters (1).
ISI h-index: 10, Nombre de citation: 308
1 chapitre dans un livre: Advanced Techniques and Applications on Scanning Probe Microscopy.
29 contributions dans des conférences internationales (- 4 invitées -) et 19 contributions dans des conférences nationales.
Rapporteur d’articles scientifiques : IEEE transactions on electron devices, Nanotechnology, Applied Physics Letters.
Collaborations:
Nationale -France- :
Laboratoire de Recherche en Nanosciences (LRN), Université de Reims :M. Troyon, A. El Hdiy et M. Molinari.
Institut d’Electronique de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN)- CNRS, Université de Lille 1 – Groupes de recherche:Ø Nanostructures et composants moléculaires NCM : D. Vuillaume, S. Lenfant, N. Clément,
Ø Epitaxie et Physique des hétérostructures EPIPHY : D. Vignaud,
Ø Electrostatique et Physique des Nanostructures EPN : T. Melin,
Ø MicroélectroniqueMICROELEC : E. Dubois
Laboratoire de Photonique et de Nanostructures (LPN) - CNRS, Marcoussis :G. Patriarche, A. Lemaître.
Institut Matériaux Microélectronique Nanosciences de Provence (IM2NP) - CNRS, Marseille :L. Patrone.
MolTech Anjou, Systèmes Conjugués Linéaires (SCL) - CNRS, Angers :J. Roncali, P. Blanchard.
Service de Physique et Chimie des Surfaces et Interfaces (SPCSI), Laboratoire Innovation, Chimie des Surfaces Et Nanosciences (LICSN) - CEA, Saclay :B. Jousselme.
Laboratoire d’Innovation pour les Technologies des Energies Nouvelles et les nanomatériaux (LITEN) - CEA, Grenoble :J.P. Simonato.
Institut de Chimie Séparative de Marcoule (ICSM) - CEA Marcoule:J.F. Dufreche.
Internationale :
Ecole Polytechnique de Montreal, Quebec, Canada :A. Rochefort.
NTT Basic Research Laboratories, Morinosato Wakamiyia, Atsugi-shi, Japan :K. Nishiguchi, A. Fujiwara.
Laboratory of Chemistry for Novel Materials, Center of Innovation and Research in Materials and Polymers CIRMAP - University of Mons, UMONS, Belgique :P. Leclère.
Donostia International Physics Center (DIPC), Paseo Manuel de Lardizabal, Donostia-San Sebastián, Spain:T. Frederiksen, D. S. Portal.
Informatique:
Ø Programmation: Matlab, Mathematica, Origin, Labview
Ø Traitement images: Casino v2, SynerJY, NT-MDT Nova, WSxM, IAProject et ImageJ
Linguistiques :
Arabe, Français, Anglais.


II. ACTIVITES D’ENSEIGNEMENT :
· France :
2011/2012 Université de Lille1, IUT A, Dépatment Génie Mechanique et Productique, France :
· Participation à la rédaction d’un polycop (Cours & TD) : Logique combinatoire
Activités d’encadrement :
Mamadou Diallo 2010-2011 : “Caractérisation électrique par eutectique GaIn de monocouches moléculaires auto‐ assemblées d'alkyl thiol greffées sur l'or”, Master 2 MiNT (Microélectronique, Nanotechnologies Télécoms), Université de Lille 1.
Diallo Mamadou et Barry Ousmane 2009-2010 : “Caractérisation électrique de commutateurs optiques à base de monocouche organique”, Master 1 MiNT (Microélectronique, Nanotechnologies Télécoms), Université de Lille 1, IEEA.
· Algérie:
1996/2000 Universite de Constantine, Institut d’Electronics, Algerie :

III. ACTIVITES DE RECHERCHE :
1996-1999 : Magister
Laboratoire d’Electronique de l’Université de Constantine (Algérie).

Ce projet portait sur l’étude des propriétés électriques thermiques et piézorésistives des jauges en Silicium monocristallin et polycristallin en vue d’application aux capteurs de pression.
J’ai effectué, d’une part, une étude des propriétés de conduction électrique et thermique ainsi que l’effet piézorésistif de jauges réalisées en silicium monocristallin et polycristallin, pour ce dernier, l’étude été faite en fonction de la taille de grain et joint de grain, et d’autre part, j’ai établi l’expression des déformations et des contraintes en tout point du corps d’épreuve et la localisation des contraintes maximales, cela à partir de la résolution du système d’équations différentielles décrivant la position d’équilibre d’une membrane carrée et fine en silicium monocristallin sous une pression constante et uniforme par la méthode de Galerkin. Par la suite, j’ai exprimé la variation de la résistance du transducteur soumise à une pression suivant la nature de ce dernier en tenant compte de l’effet d’élastorésistivité dans le silicium monocristallin et de l’effet de variation de la géométrie dans le cas d’une jauge polycristalline. Afin d’optimiser la sensibilité, minimiser les erreurs de la linéarité et d’annuler la tension d’Offset, j’ai étudié les différentes performances du Pont de Wheatstone. Par la suite l’étude a porté sur la localisation des jauges sur le corps d’épreuve afin d’optimiser la sensibilité des capteurs à la pression. Par ailleurs, l’analyse comparative de la réponse des capteurs de pression, à base de jauges en silicium mono et polycristallin, a été effectuée en se basant, sur la sensibilité à la pression (S), l’influence de la température, le coefficient de température de résistance (TCR) en absence de pression, et le coefficient de sensibilité en température (TCS). Par la suite, après une étude comparative de ces deux capteurs, j’ai proposé la mise en œuvre d’un capteur à jauge en silicium mono et polycristallin dont l’objectif est d’améliorer la sensibilité et réduire la dérive thermique : le capteur proposé contient deux jauges en polysilicium placées parallèlement au milieu du bord de la membrane et deux autres jauges en silicium monocristallin placées perpendiculairement au milieu du bord de la membrane. Pour assurer le bon fonctionnement du pont de Wheatstone, il est important d’avoir les mêmes résistances des jauges, pour cela, j’ai développé un calcul numérique pour déterminer des concentrations adéquates pour chaque type de jauge. Toutes les études ont été réalisées à l’aide du logiciel Matlab.
2001-2002 : Stage de D.E.A
Institut de Microélectronique, Électromagnétisme et Photonique (I.M.E.P),
Institut Nationale Polytechnique de Grenoble, (INPG -France).

Ce stage effectué sous la direction du professeur J. Brini a porté sur la caractérisation électrique et l’extraction des paramètres physiques des transistors en couche mince sur le polysilicium (TFT’s), sous l’effet de l’irradiation par le recuit laser.
La partie expérimentale de ce travail consistait à la caractérisation électrique statique en régime linéaire des TFT’s, sous l’effet de l’irradiation par le recuit laser (220 a 340 mJ/cm2), élaborés par EPSON – SEIKO à l’aide d’un analyseur des paramètres HP4155. Nous avons montré que le processus de recuit laser améliore les performances des TFT en Si-polycristallin pour les différentes longueurs étudiées, canal N ou P. La mobilité des porteurs et la transconductance maximale augmentent avec l’énergie du laser et la tension de seuil diminue. Pour le paramètre S (Subthreshold swing), un indice important de la qualité du matériau (permet l’estimation de la densité d’interface), augmente avec la densité d’énergie de recuit laser. Quant à la dispersion des différents paramètres étudiés, nous avons constaté qu’elle varie aléatoirement avec la densité d’énergie du recuit, cela était pour différentes longueurs de grille. Par contre nous avons constaté que ces dispersions sont minimales à 340, 260 mJ/cm2.
En terme de simulation, nous avons élaboré une procédure d’extraction des paramètres physiques en utilisant des modélisations issues de la littérature afin d’améliorer et d’accélérer le processus d’extraction à l’aide de logiciel Mathématica. L’application de cette procédure sur les TFTs irradiés par une densité d’énergie de recuit 220 mJ/cm2 a permit d’une part d’expliquer l’origine de la dispersion technologique, et d’autre part, l’existence d’une relation entre le paramètre physique Vo (le potentiel caractéristique des joints de grains) et la mobilité dans les grains.
2002-2007 : Thèse
Laboratoire de Microscopies et d'Étude de Nanostructures (L.M.E.N),
Université Reims (France).

Mes activités de recherche au sein du laboratoire LMEN, ont été effectuées sous la direction du Professeur Michel TROYON. Ces activités avaient pour objectif la mise en œuvre de nouvelles techniques de caractérisation de composants semiconducteurs capables d’apporter un gain en sensibilité et en résolution.
Mon travail est effectué dans le cadre de la mise au point un microscope à force atomique fonctionnant dans le mode conductif (C-AFM) associé à un microscope électronique à balayage (MEB). Ma contribution a été de modifier la tête de l’AFM développée au laboratoire pour lui adjoindre un préamplificateur à bas bruit pouvant être intégré dans le vide du MEB, de façon à effectuer des mesures électriques locales sous différentes excitations. Cette transformation a permis de réaliser simultanément des relevés topographiques conventionnels et des cartographies électriques des échantillons sous différentes excitations : polarisation de l’échantillon par rapport à une pointe AFM conductrice avec ou sans irradiation électronique simultanée et après une irradiation électronique. Le choix d’associer le C-AFM au MEB a été fait pour permettre de réaliser des mesures de conduction électrique locale pointe/surface dans des conditions favorables, c’est à dire sous vide secondaire de façon à éviter tout phénomène d’oxydation locale dû au champ électrique appliqué entre la pointe et la surface à analyser pouvant se produire en présence des quelques couches mono-moléculaires d’eau qui recouvrent usuellement les surfaces à l’air ambiant. Par ailleurs, la mise au point d’un microscope hybride C-AFM/MEB m’a permis de réaliser des mesures de courant induit par faisceau d’électrons (en anglais EBIC = Electron Beam Induced Current) en champ proche. L’EBIC est une technique classique bien connue, qui permet de visualiser les hétérogénéités des semiconducteurs, les défauts localisés (agrégats, dislocations, joints de grain) et les jonctions électriques. D'un point de vue quantitatif, elle permet également de mesurer la longueur de diffusion des porteurs minoritaires et d'accéder à leur durée de vie.
Mon objectif était de montrer que l’EBIC en champ proche peut atteindre une résolution de l’ordre de la dizaine de nanomètres. En effet, en utilisant une pointe AFM conductrice pour récupérer le courant induit par le faisceau électronique, celle-ci formant une nanodiode Schottky avec le semiconducteur, la résolution est alors limitée par la taille du contact pointe-surface. Dans ces conditions une résolution de l'ordre de la dizaine de nanomètres a pu être obtenue, ce qui constitue un progrès considérable par rapport à la résolution obtenue habituellement avec cette technique. J’ai mis en évidence la haute résolution de nano-Ebic sur divers matériaux et composants tels une cellule photovoltaïque en silicium polycristallin, une jonction pn+ silicium et des hétérostructures III-V issues des filières GaAs et InP et contenant ou non des boîtes quantiques InAs . A titre d’exemple, l’étude en section transverse d’une jonction mince n-p+ obtenue par bombardement ionique a permis de mettre en évidence l'excellente résolution de cette technique. J’ai pu identifier et localiser spatialement les trois régions de la jonction : la région dopée n, la zone de charge d’espace, la zone très mince p+ et de déterminer avec précision la largeur et le profil du dopage de cette dernière. Au niveau de la zone de charge d’espace, la jonction métallurgique et des défauts du type boucles de dislocations (EOR) provoquées par le traitement thermique d'activation ont été localisés avec une haute résolution spatiale de l’ordre de 20 nm.
Enfin, l’application de ces différentes techniques (C-AFM, EFM et EBIC) aux boîtes quantiques InAs/InP et InAs/ GaAs et aux hétérojonctions de type III-V. Nous a permis d’effectuer la caractérisation électrique de boîtes quantiques individuelles et de mettre en évidence un effet d’écriture et d’effacement, avec effet mémoire temporaire pouvant durer plusieurs dizaines d’heures dans certains cas par l’irradiation électronique ou l’injection de charge par le C-AFM à l’aide d’une pointe de diamant dopé p.
2007-20014 : Post-doctorat - Chercheur
IEMN, Institut d'Electronique de Microélectronique et de Nanotechnologie, Lille.

1)- La création de systèmes moléculaires dynamiques capables de produire un mouvement répétable et contrôlé constitue un challenge considérable pour la chimie moderne avec comme perspectives à long terme le développement de machines, de moteurs moléculaires et de systèmes bistables pour le stockage de l’information (mémoires moléculaires). En effet, les monocouches auto-assemblées (SAMs) ont déjà donné lieu à une abondante littérature. En particulier les couches fixées sur or à l’aide d’une fonction thiol ont été développées à la fois en tant que modèles de composants électroniques moléculaires et également en tant que capteurs électrochimiques. Dans cette optique, mon travail concerné exclusivement la caractérisation et élaboration (Les synthèses des molécules ont été réalisées par nos partenaires chimistes du laboratoire MOLTECH‐Anjou) des surfaces nano-structurées optiquement stimulables par fixation de monocouches auto-assemblées (SAMs) de systèmes conjugués dotés de propriétés électroniques réversiblement modifiables par stimulation optique. Le nouveaux commutateur moléculaire (appelé AzBT) est constituée d’une molécule avec un groupement azobenzène et découplé de la surface d’or par un oligothiophène (bithiophène) et une chaîne de 4 atomes de carbone. Pour la caractérisation structurale de ces monocouches, j’ai utilisé différentes techniques d’analyse de surface (ellipsométrie, angle de contact, XPS), alors que la mise en évidence des conséquences des modifications photo-induites de la géométrie du système conjugué sur les propriétés électroniques (niveaux HOMO et LUMO, propriétés de transport à travers la molécule, effet mémoire) est effectuée par le C-AFM à l’échelle microscopique et par l’eutectique GaIn à grande échelle. les SAMs d’AzBT étudiées ici présentent une différence de conductivité entre les deux isomères cis et trans très élevée, le rapport des conductances moyen a été mesuré à environ 1.5.103 et avec une valeur maximum de 7.103 à 1V. En se basant sur une analyse TVS appuyée par des calculs par DFT, nous expliquons cette conductivité remarquable par la variation de la structure électronique de la molécule en changeant sa conformation (une diminution de la LUMO par rapport à l’énergie de Fermi des électrodes) et par la variation de l’épaisseur. Ce ratio de conductance entre les deux isomères demeure à ce jour le plus élevé mesuré pour des jonctions moléculaires à base de molécules dérivée azobenzène.
Ensuite, j’ai étudié une molécule déposée en SAM capable de réagir avec des cations Pb2+, cette monocouche est formée à partir d’une molécule quaterthiophène dithiol avec une boucle polyéther. Cette boucle polyéther fixée sur l’oligothiophène est capable de capter les cations Pb2, et du coup de modifier les propriétés électroniques du système conjugué. De plus, la chaine conjuguée quaterthiophène bithiol permet d’obtenir une bonne stabilité de la SAM ainsi qu’une orientation horizontale de cette chaîne. De ce fait la boucle polyéther est positionnée en surface favorisant ainsi l’interaction de cette boucle avec le cation à capter, lorsque l’échantillon est plongé dans la solution contenant ce cation. Les propriétés électroniques de cette molécule sont modifiées lors de cette complexation avec une augmentation ainsi qu’une asymétrie plus marquée du courant sur la jonction moléculaire, ce qui ouvre la voie à la réalisation de capteur à partir de ce type de système.

2)- La stabilité et la reproductibilité des caractéristiques électriques des jonctions moléculaires est un aspect qui intéresse de plus en plus de groupes de recherche, aussi bien au niveau compréhension fondamentale pour obtenir des données fiables et pérennes qui serviront de base à une comparaison avec des modèles théoriques, qu'au niveau d'éventuelles applications. Dans cette optique, j’ai proposé une nouvelle technique de caractérisation électrique des jonctions moléculaires en combinant les avantages ultimes de la lithographie électronique et de la versatilité des techniques de microscopie en champ proche. En effet, de nombreuses expériences ont montré que le contact molécule/électrode était très souvent le point clé gouvernant les propriétés de transport dans une jonction moléculaire.
Après la fabrication par lithographie électronique d’un réseau 2D pleinement ordonné des nanoparticules métalliques Au (amorphe et cristallin après recuit 260°C), de diamètre maximal 5 nm avec une faible rugosité de surface. Cette approche permet de mesurer la conductance jusqu'à 1 million de jonction moléculaire par le C-AFM (ce qui offre plus des statistiques à l’étude). J’ai proposé une étude du transport sur les alkylthiols (Archétype) greffés sur les nanoplots d’Au (amorphe et recuit) par le C-AFM, et en fonction de la force appliquée. Un intérêt particulier a été accordé à la comparaison des résultats obtenus avec des résultats obtenus par le C-AFM sur des alkylthiols greffés sur des substrats d’Au. J’ai montré que la conductance varie selon l’organisation moléculaire et la structure des électrodes (c'est-à-dire : substrat d’Au, plot d’Au amorphe et plot d’Au cristallin). J’ai démontré aussi, par le KPFM et en utilisant la méthode de TVS (Transition Voltage Spectroscopy à partir des mesures de I(V) par le C-AFM), que la position d'énergie d'orbital moléculaire dépend de la longueur de chaîne, l'organisation moléculaire, la structure d'électrode et la force d’appui.
3)- La capacité à détecter rapidement, et idéalement identifier, les agents toxiques chimiques gazeux en général est d’une importance cruciale dans le cadre de la sécurité des populations civiles. Ceci reste également vrai sur les terrains d’interventions militaires. Dans cette optique le projet vise à développer des capteurs chimiques, miniatures, sensibles, autonomes et communicants (sans fil). J’ai proposé et réalisé dans ce projet, la caractérisation de composants électroniques en fonctionnement par Kelvin Probe Force Microscopy (ou KPFM) à l’échelle nanométrique. Dans l’objectif, une meilleure compréhension des phénomènes chimiques et physiques de transconducteur du capteur mis en jeu. En premier lieu, j’ai effectué et analysé chaque étape chimique par KPFM et EFM : i.e. sans molécule, avec tabinol greffé sur le nano-fil/ruban, puis après exposition au DPCP . Ce travail qui a permet de mesurer les potentiels de surfaces et la répartition des charges en surface des NF/NA, en particulier induits par la présence de monocouches organiques.
Afin de comprendre le fonctionnement du transistor a base des NF/NA de Si, lors des différentes étapes chimiques, j’ai réalisé la caractérisation de transducteur en fonctionnement par KPFM. Le suivi de la section KPFM le long du canal du transistor en fonction de la tension appliquée sur la grille (VGS), et pour une polarisation source-drain VDS de -2V, m'a permit de mettre en évidence la corrélation directe du changement des caractéristiques électriques du transistor avec les modifications des propriétés électroniques des nanofils de Si lors des différentes étapes. J’ai montré le rôle de la nature des électrodes (Contact Ohmique / Schottky) entre les nanofils de Si sur le changement de la caractéristique de transfert du transistor. Enfin, les essais de validation de ce capteur ont été réalisés sur les gaz toxiques réels comme le HCN directement dans les locaux de l’entreprise NBCsys.
IV. LISTES DES TRAVAUX :
ISI h-index: 10, I10 : 13,
Nombre de citation: 308,


-Selon
la base de données Google Schoolar (scholar.google.com)-


Articles
dans une revue internationale avec comité de lecture- Papiers réguliers


1. Estimation of - Electronic Couplings from Current
Measurements,


J. Trasobares, J. Rech, T. Jonckheere, T. Martin, O. Aleveque, E.
Levillain, V. Diez-Cabanes, Y. Olivier, J. Cornil, J.P. Nys, R.Sivakumarasamy
, Kacem-SM, P. Leclere, A.
Fujiwara, D. Théron, D. Vuillaume and N. Clément,


Nano-letters
(March 30, 2017), DOI: 10.1021/acs.nanolett.7b00804,
(Impact factor: 13.8)


2. Physical
Study by Surface Characterizations of Sarin Sensor on the Basis of Chemically
Functionalized Silicon Nanoribbon Field Effect Transistor,


Kacem-SM, D. Guérin, V. Passi, L. Ordronneau, A.
Carella, T. Melin, E. Dubis, D. Vuillaume, J.P. Simonato and S. Lenfant,


The Journal of Physical Chemistry C, V 120, N 20, (2016)
11180.(available online
april 27, 2016 ; published 26 may 2016).
(Impact factor:
4.8)


3.
Influence of molecular organization on the
electrical characteristics of p-conjugated self ass-


embled monolayers,

X. Lefèvre, F. Moggia, O. Segut, L. Patrone, Kacem-SM,
S. Lenfant, D. Guérin, D. Vuillaume, V. Derycke and B. Jousselme,


The Journal of Physical Chemistry C, V 119, N 10, (2015) 5703. (Impact factor: 4.8)

4.
Elastic and Electronic properties of Thiolated Gold Nanocrystals,


Kacem-SM, S. Desbief, G. Fotti, T.
Frederiksen, J.P. Nys, P. Leclère, D. Vuillaume and N. Clément,


Nanoscale, 7 (2015) 1809. (Impact
factor: 7.4)


5.
Interface Dipole : Effects
on Threshold Voltage and Mobility for both Amorphous and


Polycrystalline Organic Field Effect Transistors,

C. Celle, C.
Suspène, M. Ternisien, S. Lenfant, D. Guérin,
Kacem-SM, K. Lmimouni, J.-P.
Simonato and D. Vuillaume,


Organic Electronics, V 15, N 3, (2014) 729. (Impact
factor: 3.8)


6.
A Crown-Ether Loop-Derivatized Oligothiophene Doubly
Attached on Gold Surface as Cation-


Binding
Switchable Molecular Junction


T. K. Tran, Kacem-SM, M. Hardouin, Q. Bricaud, M. Ocafrain, P.
Blanchard, S. Lenfant, S. Godey, J. Roncali and D. Vuillaume,


Advanced
Materials, V 25, N 3, (2013) 427. (Impact factor: 17.5)


7. Conductance
statistics from a large array of sub-10 nm molecular junctions,


Kacem-SM, N. Clement, G.
Patriache and D. Vuillaume
,


ACS Nano, V 6, N 6, (2012) 4639. (Impact
factor: 13.3)




8. Large Array of Sub-10-nm
Single-Grain Au Nanodots for use in Nanotechnology,


N. Clément, G. Patriarche, Kacem-SM, F. Vaurette, K. Nishiguchi, D.
Troadec, A. Fujiwara and D. Vuillaume,”,


Small, V 7, N 18, (2011) 2541, Cover page (Impact factor: 8.4)

9. Band gap determination of the native oxide capping quantum dots by use of
different kinds


of conductive AFM probes:
example of InAs /GaAs quantum dots,


Kacem-SM, A. El Hdiy, M. Molinari and M.
Troyon,


IEEE transactions on electron devices, V 57, N 6 (2010)
1455. (Impact factor: 2.5)






10.
High on-off
conductance switching ratio in optically-driven self-assembled conjugated


molecular systems,

Kacem-SM, S. Lenfant, S. Karpe, M. Ocafrain,
P. Blanchard, D. Deresmes, S. Godey, A. Roochefort, J. Roncali and D.
Vuillaume,


ACS Nano, V 4, N 4, (2010) 2411. (Impact
factor: 13.3)


11. Oligothiophene-Derivatized Azobenzene as Immobilized Photoswitchable
Conjugated Systems,


S. Karpe, M. Oçafrain, Kacem-SM, S. Lenfant, D. Vuillaume, P. Blanchard and J. Roncali,

Chemical Communications, V 46, N 21,
(2010) 3657. (Impact
factor: 6.8)


Selected in the Editor's choice in Virtual Journal of
Nanoscale Science & Technology,
21, N° 22 (3 May 2010).


12.
Influence of
electron irradiation on the electronic transport mechanisms during conductive


AFM imaging of InAs/GaAs quantum dots capped with a thin GaAs layer,

M. Troyon and Kacem-SM,

Nanotechnology, V 19, N 25,
(2008) 255709. (Impact
factor: 3.8)


13. Application
of nano-EBIC to characterization of GaAs and InP homojunctions,


M. Troyon and Kacem-SM,

Nanotechnology, V 19, N 25,
(2008) 155706. (Impact factor: 3.8)


14.
High
resolution scanning near-field EBIC microscopy: application to the
characterisation of a


shallow ion implanted p+-n silicon junction,

Kacem-SM, J. Fauré,
M. Troyon and A. El Hdiy,


Ultramicroscopy V°108, N°6 (2008) 605) (Impact
factor: 2.5)


15. Local electronic transport InAs/InP(001) quantum dots capped with a thin
InP layer detected


by AFM conductive probe,

M. Troyon, Kacem-SM,
M. Molinari, G. Saint-Girons and G.
Patriarche,


Semiconductor Science and Technology, V
22, N 7
, (2007) 755. (Impact factor: 2.2)


16. Scanning near-field EBIC microscopy: application to III-V heterostructures
and quantum dots


M. Troyon and Kacem-SM,


Applied Physics Letters, V 90, N 21,
(2007) 212110. (Impact factor: 3.6)


17. Imaging the electric properties of InAs/InP(001) quantum dots capped with a
thin InP layer by


conductive atomic force microscopy. Evidence of memory effect,

Kacem-SM, M. Troyon,M. Molinari, G. Saint-Girons and G. Patriarche,

Applied Physics Letters, V 89,
(2006) 112115. (Impact
factor: 3.6)


Selected in the
Editor's choice in Virtual Journal of Nanoscale Science & Technology, V 14,
N 13,
(25 September 2006).


18. Initial stage of
the overgrowth of InP on InAs/InP(001) quantum dots : formation of InP


terraces driven by preferential nucleation on quantum dot edges,

G.
Saint-Girons, G. Patriarche, A. Michon, G. Beaudoin, I. Sagnes,
Kacem-SMand M. Troyon
,

Applied Physics Letters, V 89, (2006)
031923(Impact factor: 3.6)


Selected in the
Editor's choice in Virtual Journal of Nanoscale Science & Technology
, V 14, N 6, (14 August 2006).


Conférences invitees:

1.
Propriétés
électro-optiques de commutateurs moléculaires à base de dérivés oligothiophène
azobenzène,


D. Vuillaume, Kacem-SM, S. Lenfant, D. Deresmes, S. Godey, S. Karpe, M.
Oçafrain, P. Blanchard and J. Roncali.,


Vingt-deuxièmes
Entretiens France-Québec Jacques Cartier
, 'Polymères et oligomères pour l'optoélectronique et ses applications',

Grenoble- France,
(Décembre 2009).


2. Improvement of resolution by scanning near-field cathodoluminescence and
near-field EBIC microscopy,


M. Troyon, Kacem-SM, K. Gacem, A. El Hdiy and M.
Molinari,


Indo-French Workshop on Nanosciences and Nanotechnology,

Delhi- India (October 2009),

3. Characterisation of InAs quantum dots by conductive
AFM and near-field EBIC,


M. Troyon, Kacem-SM, M. Molinari and A. El Hdiy,

Beam Injection Assessment of Microstructures in Semiconductors (BIAMS)

Madrid –Spain (July 2008).

4. High resolution scanning near-field EBIC
microscopy,


M. Troyon, Kacem-SM, K. Gacem and A. El Hdiy,

Beam Injection Assessment of Microstructures In Semiconductors

(BIAMS)Madrid – Spain (July 2008).


5. Characterisation of InAs quantum dots by conductive AFM and near-field
EBIC,


M. Troyon, Kacem-SM, M.
Molinari and A. El Hdiy,


Beam Injection Assessment of Microstructures in Semiconductors (BIAMS),

Saint Pétersbourg -Russia, (June 2006).

Communications internationales avec
actes :


Présentation orale :1. Effet des contraintes sur les propriétés électroniques de nanocristaux
facettés d'or thiolés de 10 nm de diamètre,


N. Clement, S. Desbief,Kacem-SM,
J. P. Nys, M. Cordier, G. Patriache, S.
Lamants, J. Oden, P. Leclere et D. Vuillaume,


Actes du 16ème Forum des
Microscopies à Sondes Locales,


Spa - Belgique (Mars 2013),Papier OC33.

sondeslocales.fr/upload/documents/forum2013/Forum2013_Spa_Actes.pdf

2. KPFM sur des transistors FET à base de nano-rubans de silicium
fonctionnalisés pour la réalisation de détecteurs,


S. Lenfant, Kacem-SM,D.
Guerin, T. Melin, D. Vuillaume, L. Ordonneau, A. Carella, C. Celle et J.P.
Simonato


Actes du 16ème Forum des
Microscopies à Sondes Locales,


Spa - Belgique (Mars 2013), Papier OC33.

sondeslocales.fr/upload/documents/forum2013/Forum2013_Spa_Actes.pdf

Communications internationales sans actes

· Présentation orale

1.
Molecular
nanoarrays : from conductance statistics to high-frequency molecular
electronics,


J. Trasobares, Kacem-SM,
A. Fujiwara, D. Theron, D. Vuillaume and N. Clément,


IEICE Technical Committee on Organic Molecular Electronics, OME 2016,

Tokyo, Japan, (October 2016).

2.
On the mechanical and electronic properties of alkylthiolated Au
nanocrystals,


N. Clément, Kacem-SM, S. Desbief, G.
Fotti, T. Frederiksen, D. Sanchez-Portal, A. Arnau, J.P. Nys, P. Leclère and D.
Vuillaume.


7th International Conference on Molecular
Electronics (Elecmol’14),


Strasbourg - France, (August 2014), Paper OC18.

3.
A crown-ether loop-derivatized oligothiophene doubly attached on gold
surface as cation-binding switchable molecular junction,


P. Blanchard, T. K. Tran, Q. Bricaud, M. Hardouin, M. Oçafrain, J. Roncali, Kacem-SM, S. Lenfant, S. Godey and D.
Vuillaume.


11th International Symposium on Functional π-Electron Systems,
fπ-11,


Arcachon - France, (June 2013).

4.
Strain effect on the electronic properties of thiolated sub 10-nm-diameter
gold nanocrystals as determined by scanning probe microscopy,


N. Clément, S. Desbief, Kacem-SM, G. Patriarche, D. Vuillaume and P.
Leclère.


Materials Research Society Spring Meeting, MRS Spring
2013, Symposium Y : Advances in Scanning Probe Microscopy for Imaging
Functionality on the Nanoscale,


San Francisco – USA, (April 2013), Paper Y6.03.

5.
A crown-ether-derivatized oligothiophene doubly attached on gold surface as
cation-binding electrical switchable molecular junction,


Kacem-SM, S. Lenfant, S.
Godey, D. Vuillaume, T. K. Tran, M. Hardouin, Q. Bricaud, M. Oçafrain, J. Roncali, P. Blanchard, C. Krzeminski, F. Cleri
and C. Delerue.


6 th International Meeting on Molecular
Electronics (Elecmol’12),


Grenoble- France (December 2012).

6.
Strain
effect on the electronic properties of thiolated 10-nm diameter facetted gold
nanocrystals,


N. Clément, S. Desbief, Kacem-SM, J.P. Nys, M.
Cordier. G. Patriarche, S.
Lamant, J. Oden, P. Leclère and D. Vuillaume.


6 th International Meeting on Molecular Electronics
(Elecmol’12),


Grenoble- France (December 2012).

7.
Conductance statistics from a large array of sub-10 nm molecular junctions,


Kacem-SM, N. Clement, G.
Patriarche and D. Vuillaume
.


ICN+T 2012 International Conference on Nanoscience and
Technology, Session NE: Molecular and Nano-Electronics, S


ORBONNE, PARIS – France (July 2012).

8.
Conductance Statistics from a Large Array of Sub-10 nm Single-Grain Au
Nanodots Electrodes,


Kacem-SM, N. Clement, G.
Patriarche and D. Vuillaume.


Materials Research Society Spring Meeting, MRS
Spring 2012, Session D: Nnocntacts -
Energing Materials and Processing for Ohmicity and Rectification,


San Francisco- California- USA (April 2012) Paper D1.4.

9.
High on-off conductance switching ratio in light-driven selfassembled
molecular devices,


D. Vuillaume, Kacem-SM, S. Lenfant,
S. Karpe, M. Oçafrain, P. Blanchard, J. Roncali and A. Rochefort,


International Conference on Molecular Electronics,

Emmetten- Suisse (January 2010).

10.
Surface functionalization by monolayers of thiophene-based linear Π-conjugated
systems


P. Blanchard,
K. Tran, S. Karpe, Q. Bricaud, M. Hardouin, M. Oçafrain, J. Roncali, S.
Lenfant,
Kacem-SM,S.
Godey and D. Vuillaume
.

216th ECS Meeting,

Vienne- Austria (Octobre 2009).

scitation.aip.org/getabs/servlet/GetabsServlet?prog=normal&id=MAECES000902000042003128000001&idtype=cvips&gifs=yes

11. Reversible electro-optical switch of self-assembled
monolayers of azobenzene-derivatized oligothiophenes grafted on gold ,


Kacem-SM, S. Lenfant, D.
Deresmes, S. Godey, D. Vuillaume, M. Oçafrain, S. Karpe, P. Blanchard and J.
Roncali
.


4th International Meeting on Molecular
Electronics (Elecmol’08),


Grenoble- France (December 2008).

12.
Diffusion of Boron in Silicon
Under Oxidizing Ambient
and Intrinsic Doping Conditions,


M.C.Chelloul, Kacem-SM, M. Remram.

Algerien Conference On Microelectronics (ACM),

Alger-Algerie (Octobre2002).

·
Présentation par affiche :

1.
Cooperative effects in molecular junctions assessed from conductance
histogram line shape,


J. Trasobares, J. Rech, C. Whal, T. Jonckeere, T. Martin, Kacem-SM,D. Vuillaume, D. Théron and N. Clément,

International
Symposium on Nanoscale Transport and Technology, ISNTT 2015,


Kanagawa-Japan
(November 2015) Paper PWe22


2.
Cooperative effects in molecular junctions : a combined electrical and
electrochemical approach,


J. Trasobares, J. Rech, C. Whal, T. Jonckeere, T. Martin, Kacem-SM,D. Vuillaume, D. Théron and N. Clément,

13th
European Conference on Molecular Electronics, ECME 2015,


Strasbourg- France
(September 2015)


3.
Electrical characterization of diazonium salts self-assembled
nanodielectrics (SANDs) on germanium


S. Lenfant, Kacem-SM, D. Vuillaume.,
L. Fillaud and B. Jousselme
.


13th
European Conference on Molecular Electronics, ECME 2015,


Strasbourg-France
(September 2015)


Strain effect on the electronic properties of
molecular junctions on sub 10-nm-diameter gold nanocrystals as determined
by scanning probe microscopy, N. Clément, S. Desbief, Kacem-SM, G. Patriarche, P. Leclère and D.
Vuillaume.


12th European
Conference on Molecular Electronics, ECME 2013,


London- UK
(September 2013)


5.
Array of gold nano-dots for electron transport study in molecular
nano-junctions,


Kacem-SM, N. Clément, G. Patriarche, D.
Troadec and D. Vuillaume
.


5th
International Meeting on Molecular Electronics (Elecmol’10)


Grenoble-France
(December 2010)


6. Band gap determination of the native oxide InAs /GaAs
capping quantum dots by use of different kinds of conductive AFM probes,


Kacem-SM, A. El Hdiy, M. Molinari, M. Troyon,

Beam Injection Assessment of Microstructures in
Semiconductors (BIAMS),


Halle -Germany , (July 2010).

7.
High 'on-off' conductance ratio in self-assembled monolayers of azobenzene
derivatized oligothiophenes grafted on gold,


Kacem-SM, S. Lenfant, D.
Deresmes, S. Godey, D. Vuillaume, S. Karpe, M. Oçafrain , P. Blanchard and J.
Roncali,


10th
European Conference on Molecular Electronics, ECME 2009,


Copenhagen-Denmark
(September 2009).


8.
Surface functionalization by monolayers of thiophene-based linear Π-conjugated
systems,


P. Blanchard, K. Tran, S. Karpe, Q. Bricaud, M. Hardouin, M. Oçafrain, J.
Roncali, S. Lenfant,
Kacem-SM, S. Godey and D.
Vuillaume,


10th
European Conference on Molecular Electronics, ECME 2009,


Copenhagen-Denmark
(September 2009)


9.
Reversible electro-optical switch of self-assembled monolayers of
azobenzene-derivatized oligothiophenes grafted on gold,


Kacem-SM, S. Lenfant, D. Vuillaume, D.
Deresmes, S. Karpe, M. Oçafrain , P. Blanchard and J. Roncali.


Materials Research
Society Spring Meeting, MRS Spring 2009, Symposium B : Concepts in Molecular
and Organic Electronics,


San Francisco- CA,
USA (April 2009)


10. Reversible electro-optical switch of self-assembled
monolayers of azobenzene-derivatized oligothiophenes grafted on gold,


Kacem-SM, S. Lenfant, D.
Deresmes, S. Godey, D. Vuillaume, S. Karpe, M. Oçafrain, P. Blanchard and J.
Roncali,


9th
International Conference on Molecular Electronics, Molecular Electronics IX,


Kauai, HI, USA
(December 2008).




11.
Surface functionalization by monolayers of
thiophene-based linear Π-conjugated systems,


P. Blanchard, K. Tran, S. Karpe, Q. Bricaud, M. Hardouin, M. Oçafrain, J.
Roncali, S. Lenfant
, Kacem-SM, S.
Godey and D. Vuillaume
.

4th
International Meeting on Molecular Electronics (Elecmol’08)


Grenoble- France (December 2012).

Communications nationales sans actes

· Présentation orale

1.
Cooperative effects in molecular junctions : a combined electrical and
electrochemical approach,


J. Trasobares, J. Rech, C. Whal, T. Jonckeere, T. Martin, Kacem-SM, D.
Vuillaume, D. Theron and N. Clément.


Science et Technologie des Systèmes π-Conjugués, SPIC 2015,

Angers-France (Octobre 2015).

2.
Array of gold nano-dots for electron transport study in molecular
electronics,


N. Clément, Kacem-SM, G. Patriarche, D. Troadec and D.
Vuillaume.


Session thématique champ proche du GDR 2426, Physique quantique
mésoscopique,


Paris-France (Novembre 2010).

3.
Interrupteur optique réversible constitué
d'une monocouche auto-assemblée de dérivés azobenzènes,


Kacem-SM, S.
Lenfant, D. Deresmes, S. Godey, D. Vuillaume, S. Karpe, M. Oçafrain, P.
Blanchard, J. Roncali et A. Rochefort
,


Colloque Matériaux et Nanostructures Pi-conjugés, MNPC09,

Arcachon-France (Octobre 2009).

4.
Interrupteur optique réversible constitué
d'une monocouche auto-assemblée de molécules azobenzènes,


Kacem-SM, S.
Lenfant, D. Deresmes, S. Godey, D. Vuillaume, S. Karpe, M. Oçafrain, P.
Blanchard et J. Roncali
,


Forum des microscopies à sonde locale,

Hardelot-France (Mars 2009).

5.
Functionalization of gold surfaces by monolayers of oligothiophenes,


P. Blanchard, K. Tran, Q. Bricaud, M. Hardouin, S. Karpe, M. Oçafrain, J.
Roncali, S. Lenfant,
Kacem-SM, S. Godey and D.
Vuillaume,


1ères Journées Nanosciences Nord-Ouest, J2NO 2008,

Poitiers-France (Octobre 2008).

iemn.univ-lille1.fr/cnanono//J2NO2008/Jeudi_Apres-midi/BLANCHARD_Cima.pdf

6.
Interrupteur optique réversible constitué
d'une monocouche auto-assemblée de molécules azobenzènes
,

Kacem-SM, S.
Lenfant, D. Deresmes, S. Godey, D. Vuillaume, S. Karpe, M. Oçafrain, P.
Blanchard et J. Roncali
,


11ème Journées de la Matière Condensée, JMC11,

Strasbourg-France (Août 2008).

7.
High resolution scanning nano-EBIC microscopy: application to III-V
heterostructures and quantum dot
,

Kacem-SM and M Troyon,

Journées Nano-Micro et
Optoélectronique (JNMO ’08),


Ile d’Orléon-France
(Juin 2008).


8.
Microscopie EBIC en champ proche,


Kacem-SM and M Troyon,

Microscopies à sonde
locale (Forum 2007),


Aube-Forêt d’Orient
-France (Mars 2007).


9.
Imagerie des propriétés électroniques de
boîtes quantiques InAs/InP (001) par AFM avec pointe conductrice,


Kacem-SM, M. Troyon, A. El Hdiy, M. Molinari, G. Saint-Girons, G. Patriarche, A.
Michon, G. Beaudoin, et I. Sagnes,


Journées Simulation et Caractérisation des NanoComposants (GDR),

Grenoble – France (Octobre 2006).

10. Elaboration et caractérisation de nanofils de CdSe élaborés par
électrochimie / caractéri -sation en champ proche des propriétés optiques et
électriques de nanostructures semiconductrices,


M. Molinari, J. Mallet, Kacem-SM, A. El Hdiy, K. Yu-Zhang et M. Troyon.

Workshop Nanofils
semiconducteurs,


IEMN, Lille-France
(Juillet 2006).


Présentation par affiche1. Caractérisations électriques de monocouches auto assemblées de molécules de
sel de diazonium greffées sur germanium pour la réalisation de
nanodiélectriques,


S. Lenfant, Kacem-SM, D. Vuillaume,
L. Fillaud et B. Jousselme
,

Science et Technologie des Systèmes π-Conjugués, SPIC 2015,


Angers- France (Octobre 2015).

2. Effet des contraintes sur les propriétés électroniques de jonctions
moléculaires sur nanocristaux d'or de taille inférieure à 10 nm,


N. Clement, S. Desbief, Kacem-SM, J.P. Nys, P.
Leclere et D. Vuillaume
,


Matériaux et Nanostructures π-Conjugués, MNPC 13,

Annecy-France (Octobre 2013).

3.
Fonctionnalisation de germanium par des
couches minces organiques pour sa passivation et son isolation électrique,


L. Fillaud, X. Lefevre, Kacem-SM, S. Lenfant, D.
Vuillaume, S. Palacin et B. Jousselme
, Matériaux et Nanostructures
π-Conjugués, MNPC 13,


Annecy-France (Octobre 2013).

4.
Interrupteur optique réversible constitué
d'une monocouche auto-assemblée de dérivés thiophène-azobenzène,


Kacem-SM, S.
Lenfant, D. Guerin, S. Godey, S. Karpe, M. Oçafrain, P. Blanchard, J. Roncali,
A. Rochefort et D. Vuillaume
,


12èmes Journées de la Matière Condensée, JMC12,

Troyes-France (Août, 2010).

5. Caractérisation électrique des boîtes quantiques InAs/InP (001) par AFM
avec pointe conductrice –effet de Stockage de charge-


Kacem-SM, M. Troyon, A. El Hdiy, M. Molinari,
G. Saint-Girons, G. Patriarche, A. Michon, G. Beaudoin, et I. Sagnes,


Les Journées de la Matière Condensée (JMC10),

Toulouse- France (Août 2006).

6. Imagerie des propriétés électroniques de boîtes quantiques InAs/InP (001)
par AFM avec pointe conductrice,


Kacem-SM, M. Troyon, A.
El Hdiy, M. Molinari, G. Saint-Girons, G. Patriarche, A. Michon, G. Beaudoin,
and I. Sagnes,


Journées Nano-Micro Electronique et Optoélectronique (JNMO),

Aussois-France (Avril 2006).


Séminaires

1. Contribution à l'électronique moléculaire : de la jonction au
composant

Kacem-SMInstitut de la Matière Condensée et des Nanosciences, IMCN, Université
Catholique de Louvain, Belgique, 21 mars, 2014uclouvain.be/en-465364.html

Diffusion de la connaissance dans le
milieu socio-économique



Une nano-bague en or a-t-elle les mêmes
propriétés mécaniques et électroniques que l’or massif ?Kacem-SM


Communiqué
de presse du CNRS,Actualités scientifiques, 16
février 2015 cnrs.fr/insis/recherche/actualites/2015/02/jonctions.htm

2. Un nouveau pas vers l’électronique moléculaireKacem-SM

TECHNIQUES DE L'INGÉNIEUR, Chimie –Électronique Moléculaire , 1 avril 2010
techniques-ingenieur.fr/actualite/articles/un-nouveau-pas-vers-lelectronique-moleculaire-25445/


3.
Des molécules pour l'électronique


Kacem-SM

Communiqué
de presse du CNRS, Institut de Chimie, 26 mars 2010


www.cnrs.fr/inc/communication/direct_labos/roncali.htm

Ouvrages scientifiques (ou chapitres)


High resolution scanning near-field EBIC
microscopyKacem-SM
, M. Molinari, A. El Hdiy and M.
Troyon


1 chapitre
dans un livre: Advanced Techniques and Applications on Scanning Probe
Microscopy, 2008:
69-88, ISBN: 978-81-7895-378-6


2.
EBIC en champ proche et microscope à
force atomique à pointe conductrice : application à l’étude du transport
électronique des boîtes quantiques


Kacem-SM,

Thèse de Doctorat : Ann. Phys.Fr.
16, 2 (2007).



Lettre de candidature

Monsieur Ka... S
59000 Lille
France

Emploi dans le domaine des nanotechnologies et nanosciences


Madame, Monsieur

Électronicien, physicien et expérimentateur spécialisé en nanoscience et nanocaractérisation électrique, je suis vivement intéressé par la recherche et le développement dans le deomaine des nanotechnologies.
Après avoir obtenu le diplôme d'ingénieur en électronique, je me suis orienté vers la recherche en effectuant un DEA en optique, optoélectronique et microonde de l'Institut National Polytechnique de Grenoble, puis une thèse en physique de l'université de Reims. Lors de celle-ci, j'ai eu la chance de pouvoir explorer divers aspects de la recherche, tels que l'instrumentation, le développement d'un système hybride microscopie à force atomique conductif (C-AFM) associé à un Microscope électronique à balayage (MEB/SEM), la mise au point d'une nouvelle technique EBIC (Courant induit par le faisceau électronique) en champ proche unique en France, pour la caractérisation des composants semiconducteurs (cellule photovoltaïque, jonction pn, hétérojonctions III-V,....) et en particuliers les nanostructures.
J'ai notamment été amené pendant 5 ans et 6 mois à travailler dans le domaine d'électronique moléculaire en tant qu'ingénieur de recherche et chercheur contractuel à l'Institut d’Electronique de Microélectronique et de Nanotechnologie IEMN de Lille au sein du groupe Nanostructures et composants moléculaires NCM. Je suis très heureux de pouvoir aborder des sujets de recherches très riches et très variés allant de la nanoélectronique, optoélectronique, à la détection chimique.
Ces années d'expériences m'ont permis de développer des compétences transversales, d’être Proactif et flexible, doté d’un esprit critique. Fiabilité, résistance au stress, disposition à apprendre et de très bonnes capacités en communication et gestion de projets, tels sont mes principaux points forts. Mon parcours m’a permis d’acquérir une excellente expérience dans les différents domaines : Physique des Semiconducteurs, les cellules solaires, l’ingénierie des interfaces, les techniques de microscopie en particulier les microscopes à force atomique (AFM) dédiés aux mesures électriques à l’échelle nanoscopique (C-AFM, EFM, KPFM…). Le CV que je joins à cette lettre vous donnera de plus amples informations sur la qualité de mon parcours et de mes compétences. Espérant que ma candidature retienne votre attention, je reste à votre disposition pour un entretien. Dans cette attente, je vous prie de recevoir, Monsieur le directeur, l'assurance de ma considération.

Monsieur Ka... S...


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